深準位過渡分光計（DLTS）
深準位過渡分光（Deep Level Transient Spectroscopy）は半導体分野における半導体不純物、欠陥深準位、界面状態などの研究と検出の重要な技術手段である。半導体P−N接合、金−半接触構造Schottky接合の過渡容量（△C〜t）技術と深準位過渡スペクトル（DLTS）の放射率窓技術に基づいて測定された深準位過渡スペクトルは、半導体中の微量不純物、欠陥の深準位及び界面状態を検出する極めて高い検出感度を有する実験方法である。試料の温度走査により、半導体禁制帯範囲内の不純物、欠陥深準位及び界面状態の温度（すなわちエネルギー）分布を特徴づけるDLTSスペクトルを与えることができる。多種の全自動の測定モードと全面的なデータ分析を集積し、不純物のタイプ、含有量及び深さに伴う分布を確定することができる。
Semetrol DLTSは多種の自動的な測定モードと全面的なデータ分析を集積し、不純物のタイプ、含有量及び深さに伴う分布を確定することができ、光起電力太陽電池分野にも使用でき、少子寿命と転化効率減衰の重要性不純物元素と不純物元素の格子占有を分析し、どのようなドーピング元素とどの元素占有が少子寿命に影響するかを確定する。この計器は界面状態を測定する速度が速く、精度が高く、生産と科学研究に広く応用できるテスト技術である。

主な特徴：
•自動配線検査、
•自動容量補償機能、
•検出感度が高い
•過渡電流測定、
•深準位過渡分光分析、

応用分野：
•Si、ZnO、GaNなどの半導体材料中の微量不純物、欠陥の深準位及び界面状態を検出する。



Semetrol DLTSシステム構成：
-パルス発生器
電圧範囲：±10 V (±102 V opt.)
パルス幅：1µs-1000 s
-容量測定
高周波信号： 50KHz
容量範囲：1 pF-100 nF

感度：1 fF
-電圧測定：
範囲±10 V
感度<1µV

温度範囲：30 K ~ 700 K
抵抗範囲：0.1 mOhm-10 GOhm

複数の測定モードを選択可能：
C-DLTS（容量モード）

O-DLTS（光励起モード）

I-DLTS（電流モード）

DD-DLTS（デュアルアソシエーションモード）

Zerbst-DLTS（Zerbstモード）

FET-Analysis（FET解析）

MOS-Analysis（MOS解析）

ITS（等温過渡スペクトル）

Trap profiling

CCSM（トラップ断面測定）

I/V，I/V（T）（チャーリーソンPlot解析）

C/V, C/V(T)

TSC/TSCAP

PITS（光子誘起過渡スペクトル）

DLOS（特殊システム）